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（来源：第三代半导体产业）
近日，杭州富加镓业科技有限公司率先开展12英寸氧化镓MOCVD外延技术研发，成功将8英寸氧化镓MOCVD外延工艺首次外推至12英寸。
关键指标：厚度均匀，质量过硬
此次基于8英寸氧化镓MOCVD外延工艺实现的12英寸薄膜的厚度均匀性优于6%，外延后表面自然平整度较高，标志着大尺寸氧化镓MOCVD外延技术向产业化迈出了更为坚实的一步。
▲ 8英寸（左）与12英寸（右）氧化镓外延厚度分布对比富加镓业于2026年3月制备出厚度10微米级8英寸同质外延片，其厚度均匀性优于3%，表面粗糙度（RMS）低于1 nm，XRD摇摆曲线半高宽（FWHM）仅64.8弧秒，可直接用于功率器件制备。
▲ 8英寸氧化镓同质外延表面粗糙度（AFM）及XRD摇摆曲线（FWHM=64.8弧秒）从8英寸到12英寸，产业化加速提档
12英寸外延单片器件的产出理论上是8英寸的2.25倍，开发大尺寸外延片将大幅降低氧化镓器件的制造成本，加速其从实验室走向产业化的进程。结合公司已量产的6英寸、8英寸衬底及全球首发的12英寸氧化镓单晶，富加镓业正在构建覆盖"装备—衬底—外延"全链条的氧化镓材料供应体系，为下游器件企业提供一站式材料解决方案。
富加镓业将继续秉承"让世界用上好材料"的使命，以更优质的产品推动超宽禁带半导体产业迈向更广阔的未来。
企业简介：
杭州富加镓业科技有限公司成立于2019年12月31日，公司以“让世界用上好材料”为愿景，致力于超宽禁带半导体氧化镓材料的产业化。公司核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD/MBE 外延片、布里奇曼法（VB法）及导模法(EFG法)晶体生长装备等。公司为国家级高新技术企业，承担了国家科技部、发改委、工信部等国家级、省部级项目多项，获国际国内专利授权近70项，是国内氧化镓领域国家标准的发起单位和首个国标起草单位。公司在推动氧化镓产业化方面取得的系列重要成果已获CCTV、《人民日报》、新华网、《中国证券报》、澎湃新闻等知名媒体专题宣传报道。
年度盛会：第十二届国际第三代半导体论坛&第二十三届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2026）将于2026年11月16-19日在苏州召开。论坛作为汇聚政、产、学、研、用、资全链条优质资源，融通全球资源的国际化交流合作平台，将为行业创新与跨界融合寻找新的动力源泉，发掘第三代半导体产业发展的新引擎、新动能。论坛论文集被IEEE等多家学术机构收录，影响力覆盖全球产业界与学术界。
